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HBTA16A60

SHANTOU HUASHAN
Part Number HBTA16A60
Manufacturer SHANTOU HUASHAN
Description INNER INSULATED TYPE TRIAC
Published Nov 11, 2013
Detailed Description Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBTA16A60 INNER ¨€ INSULATED TYPE TRIAC ( II TO - 220 PACKAGE) Feature...
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HBTA16A60
HBTA16A60

Overview
Shantou Huashan Electronic Devices Co.
,Ltd.
HBTA16A60 INNER ¨€ INSULATED TYPE TRIAC ( II TO - 220 PACKAGE) Features * Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V * R.
M.
S On-state Current(IT(RMS)=16A) * High Commutation dv/dt *Isolation Voltage£¨ VISO =2500V AC£© ¨€ General Description The Triac HBTA16A60 is suitable for AC switching application, phase control application such as heater control, motor control, lighting control,and static switching relay.
¨€ Absolute Maximum Ratings£¨ Ta=25¡æ£© ¡ª¡ªOperating T stg ¡ª¡ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡- 40~125¡æ Tj Junction Temperature ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡- 40~125¡æ PGM¡ª¡ªPeak Gate Power Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡5W VDRM¡ª¡ª Repetitive Peak Off-State Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡ 600V IT£¨ RMS£© ¡ª¡ª R.
M.
S On-State Current£¨ Ta=68¡æ£© ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡16A VG M ¡ ª ¡ ªPeak Gate Voltage ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡10V I G M ¡ ª ¡ ªP e a k G a t e C u r r e n t ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ 2¡ .
0A¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ ITSM¡ª¡ªSurge On-State Current (One Cycle, 50/60Hz,Peak,Non-Repetitive)¡¡-¡-¡¡¡¡-155/170A VISO ¡ª¡ª RMS Isolation Breakdown Voltage¡-¡-¡-¡¡-¡-¡¡¡-¡¡¡-¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡-¡2500V ¨€ Electrical Characteristics£¨ Ta=25¡æ £© Items Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current£¨¢ñ£© Gate Trigger Current£¨¢ò£© Gate Trigger Current£¨¢ó£© Gate Trigger Voltage£¨¢ñ£© Gate Trigger Voltage£¨¢ò£© Gate Trigger Voltage£¨¢ó£© Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Thermal Resistance Holding Current 25 0.
2 10 3.
0 Min.
Max.
2.
0 1.
4 30 30 30 1.
5 1.
5 1.
5 Unit mA V mA mA mA V V V V V/µS ¡æ /W mA Conditions VD=VDRM, Single Phase,Half Wave, TJ=125¡æ IT=25A, Inst.
Measurement VD =6V, RL =10 ohm VD =6V, RL =10 ohm VD =6V, RL =10 ohm VD =6V, RL =10 ohm VD =6V, RL =10 ohm VD =6V, RL =10 ohm...


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