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3DD13009-A9

ETC
Part Number 3DD13009-A9
Manufacturer ETC
Description Silicon NPN Transistor
Published Nov 29, 2014
Detailed Description 3DD13009 A9 NPN ， ， ， 、 。 NPN 3DD13009 A9 ○R ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot（TC=25℃） 400 12 100 V ...
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3DD13009-A9
3DD13009-A9

Overview
3DD13009 A9 NPN ， ， ， 、 。 NPN 3DD13009 A9 ○R ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot（TC=25℃） 400 12 100 V A W TO-220F -10℃～40℃ 1 265℃ ＜85％ C B ，Ta= 25℃ - - - （tp＜5ms） （tp＜5ms） Ta=25℃ Tc=25℃ RθJC RθJA E VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 700 400 9 12 24 6 12 2 100 150 -55～150 V V V A A A A W ℃ ℃ 2012 1.
25 62.
5 ℃/W ℃/W 1/4 3DD13009 A9 ○R ，Ta= 25℃ - ICBO VCB=700V, IE=0 - ICEO VCE=400V, IB=0 - IEBO VEB=9V, IC=0 - VCBO IC=0.
1mA - VCEO IC=1mA - VEBO IE=0.
1mA hFE* VCE=5V, IC=3A hFE1 hFE2 - hFE1/ hFE2 VCE * sat hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=3A IC=8A, IB=1.
6A - VBE * sat IC=8A, IB=1.
6A ts tr UI9600，IC=0.
5A tf fT VCE=10V, IC=0.
5 A f=1MHz ∗ ， tp≤300μs， δ≤2% ◆ts 4~5~6~7μs hFE 20~25~30~35 0.
1 0.
1 0.
1 700 400 9 20 35 mA mA mA V V V 0.
75 0.
9 0.
45 1 V 1 1.
6 V 4 7 μs 0.
6 μs 0.
25 μs 4 MHz （） Pb ≤0.
1% ○ Hg Cd Cr(VI) ≤0.
1% ≤0.
01% ≤0.
1% ○○○ PBB ≤0.
1% ○ PBDE ≤0.
1% ○ HBCDD ≤0.
1% ○ DEHP DBP BBP ≤0.
1% ○ ≤0.
1% ○ ≤0.
1% ○ ○ ○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○： SJ/T11363-2006 。 ×： SJ/T11363-2006 。 （Pb）， RoHS 。 2012 2 /4 3DD13009 A9 ○R 100 （） Ptot – Ta 100 Ptot (W) IC (A) 10 DC 1 100μs 1ms 0.
1 10ms 0.
01 1 Ta=25℃ 10 100 1000 - VCE (V) IC-VCE () 5 Ta=25℃ 2.
5 80 With Infinite Heatsink 60 40 20 Without Heatsink 0 0 25 50 75 100 125 Ta (℃) 150 hFE-IC () 100 Ta=125℃ VCE=5V Ta=25℃ 10 Ta= -55℃ hFE IC (A) IB=20mA 0 0 2 46 8 10 - VCE (V) VCEsat-IC () 10 - VCEsat (V) 1 Ta=125℃ 0.
1 Ta=25℃ 0.
01 1 IC/IB=5 10 100 IC (A) - VBEsat (V) 1 0.
1 1 10 100 IC (A) VBEsat-IC () 1.
5 1 Ta=25℃ Ta=125℃ 0.
5 0.
1 IC/IB=5 1 10 100 IC (A) 2012 3 /4 3DD13009 A9 ○R ：TO-220F A B C C1 D E F G H L N (mm) 9.
60 10.
40 15.
40 16.
20 4.
40 4.
90 2.
10 2.
60 2.
50 2.
90 0.
70 0.
90 0.
30 0.
60 1.
12 1.
42 3.
40 3.
80 12.
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