DatasheetsPDF.com

FT2000A

Diotec Semiconductor
Part Number FT2000A
Manufacturer Diotec Semiconductor
Description Fast Silicon Rectifiers
Published Mar 23, 2005
Detailed Description FT 2000 A … FT 2000 G Fast Silicon Rectifiers Version 2004-06-24 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse vol...
Datasheet PDF File FT2000A PDF File

FT2000A
FT2000A

Overview
FT 2000 A … FT 2000 G Fast Silicon Rectifiers Version 2004-06-24 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1/Tab = Cathode 2 = Anode Schnelle Silizium Gleichrichter 20 A 50…400 V TO-220AC 2.
2 g Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Maximum ratings Type Typ FT 2000 A FT 2000 B FT 2000 D FT 2000 G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom TC = 100°C f > 15 Hz IFAV IFRM IFSM IFSM i2t 20 A 80 A 1) Preliminary Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Vorläufig TA = 25°C TA = 25°C TA = 25°C 680 A2s Tj TS 375 A 390 A – 50…+150°C – 50…+175°C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 1 FT 2000 A … FT 2000 G Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzugszeit Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 20 A VR = VRRM VF IR trr RthC Kennwerte < 0.
94 V < 25 µA < 200 ns IF = 0.
5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.
25 A < 2.
0 K/W 120 100 [%] 100 80 60 40 20 10 -1 [A] 10 1 Tj = 25°C IFAV 0 IF TC [°C] 10 -2 R...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)