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3DD13005C9D

Huajing Microelectronics
Part Number 3DD13005C9D
Manufacturer Huajing Microelectronics
Description Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
Published May 20, 2015
Detailed Description NPN 3DD13005 C9D ○R 3DD13005 C9D NPN ， ， ， ， 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot（TC=25℃） 400 4 7...
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3DD13005C9D
3DD13005C9D

Overview
NPN 3DD13005 C9D ○R 3DD13005 C9D NPN ， ， ， ， 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot（TC=25℃） 400 4 75 V A W TO-220F -10℃～40℃ 1 265℃ ＜85％ C B ，Ta= 25℃ - - - （tp＜5ms） （tp＜5ms） Ta=25℃ Tc=25℃ RθJC RθJA E VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 700 400 9 4 8 2 4 2 75 150 -55～150 V V V A A A A W ℃ ℃ 2012 1.
67 62.
5 ℃/W ℃/W 1/4 3DD13005 C9D ○R ，Ta= 25℃ - ICBO VCB=700V, IE=0 - ICEO VCE=400V, IB=0 - IEBO VEB=9V, IC=0 - VCBO IC=0.
1mA - VCEO IC=1mA - VEBO IE=0.
1mA hFE* VCE=5V, IC=1A hFE1 hFE2 - hFE1/ hFE2 VCE * sat hFE1:VCE=5V, IC=10mA hFE2:VCE=5V, IC=1A IC=2A, IB=0.
5A - VBE * sat IC=2A, IB=0.
5A Vf* If = 2 A ts tr UI9600，IC=0.
5A tf fT VCE=10V, IC=0.
2A f=1MHz ∗ ， tp≤300μs， δ≤2% ◆ ts 2~2.
5~3~3.
5~4μs hFE 15~20~25~30 0.
1 0.
1 0.
1 700 400 9 15 30 mA mA mA V V V 0.
6 0.
7 0.
3 1 V 0.
9 1.
4 V 2.
5 V 2 4 μs 1 μs 0.
6 μs 5 MHz （） Pb ≤0.
1% ○ Hg Cd Cr(VI) ≤0...


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