DatasheetsPDF.com

RQ1A060ZP

Part Number	RQ1A060ZP
Manufacturer	Rohm
Description	Pch -12V -6A Middle Power MOSFET
Published	Nov 2, 2015
Detailed Description	RQ1A060ZP 　　Pch -12V -6A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -12V 23mΩ ±6A 1.5W lFeatures 1) L...
Datasheet	RQ1A060ZP PDF File

Overview

RQ1A060ZP 　　Pch -12V -6A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.
) ID PD -12V 23mΩ ±6A 1.
5W lFeatures 1) Low on - resistance.
2) -1.
5V Drive 3) Built-in G-S protection diode.
4) Small surface mount package(TSMT8).
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline TSMT8 　　　　　　 lInner circuit 　　　　　　　　　　　　　　　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TR lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Marking YH Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -12 V Continuous drain current ID ±6 A Pulsed drain current ID,pulse*1 ±24 A Gate - Source voltage VGSS ±10 V Power dissipation PD*2 1.
5 W PD*3 0.
7 W Junction temperature Tj 150 ℃ Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.
rohm.
com © 2015 ROHM Co.
, Ltd.
All rights reserved.
1/11 20150730 - Rev.
001 　　 RQ1A060ZP 　　　　　　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　　　　　　　　 Datasheet 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min.
Typ.
Max.
- - 83.
3 - - 178 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coefficient Zero gate voltage drain current 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　　 referenced to 25℃ IDSS VDS = -12V, VGS = 0V Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±10V, VDS = 0V Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient VGS(th) VDS = -6V, ID = -1mA 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　　 referenced to 25℃ VGS = -4.
5V, ID = -6A Static drain - source on - state resistance RDS(on)*4 VGS = -2.
5V, ID = -3A VGS = -1.
8V, ID = -3A VGS = -1.
5V, ID = -1.
2A Gate input resistance RG f = 1MHz, open drain Fo...

Similar Datasheet

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Middle Power MOSFET - Rohm

@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)