bipolar transistor. BT15N60A0F Datasheet

BT15N60A0F transistor. Datasheet pdf. Equivalent

Part BT15N60A0F
Description Insulated gate bipolar transistor
Feature BT15N60 A0F ○R BT15N60 A0F FS IGBT , ,。 RoHS 。 ● FS ,; ● :VCE(sat),TYP=2.0V @IC=15A,VGE=15V .
Manufacture Huajing Microelectronics
Datasheet
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BT15N60 A0F ○R BT15N60 A0F FS IGBT RoHS ● FS ; ● BT15N60A0F Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet BT15N60A0F Datasheet




BT15N60A0F
绝缘栅双极型晶体管
BT15N60 A0F
R
概述
BT15N60 A0F 采用先进的平面 FS IGBT 技术,具有良好的导
通和开关特性,易并联使用的特点。
符合 RoHS 指令要求。
特点
● 平面 FS 技术,正温度系数;
● 低通态压降:VCE(sat),TYP=2.0V @IC=15A,VGE=15V
特征参数
VCES
IC
Ptot TC=25
VCE(sat)
封装:TO-263
600
15
100
2.0
V
A
W
V
用途
● 电机控制
● 太阳能逆变器
● 不间断电源
● 中高开关频率变频器
极限值(除非另有规定,Ta= 25℃)
符号
参数名称
VCES 最高集电极-发射极直流电压
VGES 最高栅 极-发射极直流电压
集电极直流电流
IC 集电极直流电流
@TC=25
@TC=100
ICMa1
集电极脉冲电流
@TC=25
IF 二极管直流正向电流 @TC=100
IFM 二极管脉冲正向电流
耗散功率
@TC=25
PD 耗散功率
@TC=100
耗散功率
@TA=25
TJ 最高
Tstg 存储温度范围
TL 引线最高焊接温度
注释a1:脉冲受限于最高
内部等效原理图
额定值
600
±20
30
15
45
10
30
100
40
2.0
150
-55150
270
单位
V
V
A
A
A
A
W
无锡华润华晶微电子有限公司
2016V01
1/7



BT15N60A0F
BT15N60 A0F
R
热特性
符号
RθJC
RθJC
RθJA
参数名称
结到壳热阻IGBT
结到壳热阻(二极管)
结到环境热阻
典型
单位
-- 1.25 /W
-- 2.50 /W
-- 62.5 /W
电特性 (除非另有规定,Ta= 25)
符号
参数名称
态特性(关态)
V(BR)CES 集电极-发射极击穿电压
ICES 栅压集电极电流
IGES(F)
正向栅极体漏电流
IGES(R) 向栅极体漏电流
态特性(通态)
VCE(sat) 集电极-发射极和压降
VGE(th)
值电压
脉冲tp380µs,δ≤2%
态特性
Cies
Coes
Cres
开关特性
输入
输出
传输
td(on) 开通延迟时
tr 上升时
td(off)
关断延迟时
tf
Eon 开通
Eoff 关断
Ets 开关总损
Qg 栅极电荷总量
Qge 栅极发射极电
Qgc 栅极集电极电
并联二极管特性
VF 正向压降
trr 恢复时
Irrm 恢复电流
Qrr 恢复
测试条件
单位
小 典型
VGE=0V,ICE=250uA
VGE=0V,VCE=600V
VGE=+20V
VGE =-20V
600
--
--
--
-- -- V
-- 1.0 mA
-- +250 nA
-- -250 nA
IC=15A ,VGE=15V
IC=1mA ,VCE=VGE
-- 2.0 2.6
5.0 6.0 7.0
V
V
VCE=30V,VGE=0V
f=1MHz
-- 675 --
-- 80 --
-- 18.5 --
pF
-- 25.8 --
-- 19.0 --
VCE=400V,IC=15A,
-- 57.6 --
Rg=10Ω,VGE=15V,
-- 32 --
负载,Ta=25℃, -- 0.761 --
-- 0.081 --
-- 0.842 --
VCE=400V,IC=15A,
VGE=15V,
-- 33 --
-- 7.8 --
-- 16 --
ns
mJ
nC
IF=10A
IF=10A
di/dt=100A/uS
-- 1.3 2.1 V
-- 88 --
ns
-- 3.0 --
A
-- 132 --
nC
无锡华润华晶微电子有限公司
2016V01
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