2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для при менения в* усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г. Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни ковых приборов, г. Воронеж....
