Part Number
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GT50N321 |
Manufacturer
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Toshiba Semiconductor |
Description
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silicon N-channel IGBT |
Published
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Sep 3, 2014 |
Detailed Description
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GT50N321
トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N321
○ インバータスイッチング ○ 4
• • • • FRD をしています。 りいがなエンハンスメントタイプです。 スイッチングがい。 IGBT : tf ...
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Datasheet
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GT50N321
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Overview
GT50N321
トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N321
○ インバータスイッチング ○ 4
• • • • FRD をしています。 りいがなエンハンスメントタイプです。 スイッチングがい。 IGBT : tf = 0.
25 μs () (IC = 60 A) FRD : trr = 0.
8 μs () (di/dt = −20 A/μs) がい。 VCE (sat) = 2.
5 V () (IC = 60 A) : mm
(Ta = 25°C)
V V A
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ エミッタ・コレクタ コ レ ク タ DC 1 ms DC 1 ms
VCES VGES IC ICP IF IFP PC Tj Tstg
1000 ±25 50 120 15 120 156 150 −55~150
A W °C °C
JEDEC JEITA
― ― 2-16C1C
(Tc = 25°C)
: 4.
6 g ()
:
の (//) がでのにおいても、 (および /、 な) でしてされるは、 がしくするおそれがあります。 ハンドブック (りいのごとおいおよびディレーティングのえと) およ び (レポート、) をごの、なをおいします。
コレクタ
ゲート エミッタ
TOSHIBA
GT50N321
(または) ロット No.
フリー マーク (なし: あり: フリー)
1
2006-10-31
GT...
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