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EMB09N03G

Excelliance MOS
Part Number EMB09N03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  9....
Datasheet PDF File EMB09N03G PDF File

EMB09N03G
EMB09N03G

Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  9.
5mΩ  ID  14A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB09N03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=14A, RG=25Ω  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  14  11  50  1...


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