DatasheetsPDF.com

EMB09N03A

Excelliance MOS
Part Number EMB09N03A
Manufacturer Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Mar 22, 2016
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB09N03A PDF File

EMB09N03A
EMB09N03A

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  9mΩ  ID  50A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB09N03A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=37.
5A, RG=25Ω L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  50  35  140  37.
5  70  15  60  32  ‐55 to 175  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％          2.
5  °C / W  75  2010/1/25  p.
1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB09N03A LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 25A  VGS = 4.
5V, ID = 15A  VDS = 5V, ID = 20A  DYNAMIC  30      V  1  1.
7 3      ±100 nA     1  A     25  50      A    7.
5 9  mΩ   11 13.
5   20   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance    Gate Resistance  Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Ti...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)