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EMB12N06G

Excelliance MOS
Part Number EMB12N06G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  60V  D RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB12N06G PDF File

EMB12N06G
EMB12N06G


Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  60V  D RDSON (MAX.
)  12mΩ  ID  12A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  350°C / W w...


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