DatasheetsPDF.com

EMB12N04G

Excelliance MOS
Part Number EMB12N04G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  40V  D RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB12N04G PDF File

EMB12N04G
EMB12N04G

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  40V  D RDSON (MAX.
)  12mΩ  ID  12A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
              2015/5/8  EMB12N04G LIMITS  ±20  12  10  48  2.
5  1.
6 ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)