DatasheetsPDF.com

BY550-600

Diotec Semiconductor
Part Number BY550-600
Manufacturer Diotec Semiconductor
Description Silicon Rectifiers
Published Mar 23, 2005
Detailed Description BY 550-50 … BY 550-1000 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse v...
Datasheet PDF File BY550-600 PDF File

BY550-600
BY550-600


Overview
BY 550-50 … BY 550-1000 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 5A 50…1000 V Ø 5.
4 x 7.
5 [mm] 1.
4 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ BY 550-50 BY 550-100 BY 550-200 BY 550-400 BY 550-600 BY 550-800 BY 550-1000 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 50/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 5 A 1) 60 A 1) 300 A 450 A2s – 50…+175/C – 50…+175/C Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 70 28.
02.
2002 BY 550-50 … BY 550-1000 Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 5 A VR = VRRM VF IR RthA Kennwerte < 1.
0 V < 20 :A < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 28.
02.
2002 71 ...



Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)