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BP104FS

Siemens Semiconductor Group

Silicon Phototransistor

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP...


BP104FS

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Octopart Stock #: O-124708

Findchips Stock #: 124708-F

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Description
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 F BP 104 FS 0.6 0.4 1.2 0.7 0.8 0.6 Cathode marking 4.0 3.7 5.4 4.9 4.5 4.3 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 0.6 0.4 0.8 0.6 0.5 0.3 0.35 0.2 0.6 0.4 0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO0
More View 6075 1.6 1.2 Approx. weight 0.1 g Chip position 1.1 0.9 1.2 1.1 0.3 0...0.1 6.7 6.2 4.5 4.3 0.9 0.7 4.0 3.7 1.7 1.5 1.6 1.2 0...5 ˚ 0.2 0.1 3.5 3.0 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm Cathode lead GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1997-11-19 feo06861 feo06075 BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Features q Especially suitable for applications of 950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q DIL plastic package with high packing density q BP 104 FS: suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering Applications q IR remote control of hi-fi and TV sets, Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment q Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) BP 104 F (*BP 104 ) BP 104 FS Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Bestellnummer Ordering Code Q62702-P84 Q62702-P1646 Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 20 150 Einheit Unit °C V mW Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Top; Tstg VR Ptot Semiconductor Group 2 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 34 (≥ 25) Einheit Unit µA S λS max λ 950 780 ... 1100 nm nm S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of






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