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TDM3412

Techcode
Part Number TDM3412
Manufacturer Techcode
Description Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Published May 4, 2018
Detailed Description T  echcode®       Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3412  uses  advanced  trench  tech...
Datasheet PDF File TDM3412 PDF File

TDM3412
TDM3412


Overview
T  echcode®       Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3412  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.
  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.
  GENERAL FEATURES   Channel 1  RDS(ON) < 17.
5mΩ @ VGS=4.
5V     RDS(ON) < 10.
8mΩ @ VGS=10V   Channel 2  RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.
5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   ESD protection   Lead free product is available   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is(TC=25℃)  Continuous Drain Current(note1)  ID(TC=25℃)...



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