DatasheetsPDF.com

TDM3421

Techcode
Part Number TDM3421
Manufacturer Techcode
Description P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Published Jan 4, 2020
Detailed Description T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3421  uses  advanced  trench  technology...
Datasheet PDF File TDM3421 PDF File

TDM3421
TDM3421

Overview
T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3421  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low gate charge.
 This device is suitable for use  as a load switch or in PWM applications.
  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=‐4.
5V  RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   ESD protection pass 2KV   Lead free product is available   PPAK‐3*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Pulsed Drain Current  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipation  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Maximum Junction Temperature  Storage Temperature Range  Thermal Resistance‐Junction to Ambient (note1)    Symbol  VDS  VGS  IS(TC=25℃)  IDM (TC=25℃)  ID (TC=25℃)  ID (TC=100℃)  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  ID (TA=25℃)  ID (TA=70℃)  PD(TA=25℃)  PD(TA=70℃)  TJ  TSTG  RθJA(t≤10s)  RθJA(Steady State)  DATASHEET TDM3421   PPAK-3*3-8    Rating  ‐30  +25  ‐16  ‐70  ‐32  ‐20  29.
8  11.
9  ‐10.
5  ‐8.
4  3.
1  2  150  ‐55 to 150  40  75  Unit  V  V  A  A  A  A  W  W  A  A  W  W  ℃  ℃  ℃/W  ℃/W  February  28,  2017                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.
techcodesemi.
com  1  T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  DATASHEET TDM3421 Parameter  Symbol  Test Conditions  Min  Typ  Max  Unit  STATIC CHARACTERISTICS  Drain‐Source Breakdown Voltage  Zero Gate Voltage Drain Current  Gate‐Body Leakage Current  BVDSS  IDSS  IGSS  VGS=0V, ID=‐250μA  VDS=‐24, VGS=0V  VGS=±25V, VDS=0V  ‐30  ‐  ‐  ‐  ‐  ‐  ‐  ‐1  ±10  V  μA  μA  ON CHARACTERISTICS (Note 3)  Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS=VGS,ID=‐250μA  ‐1.
3  ‐1.
8  ‐2.
3  V  Drain...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)