DatasheetsPDF.com

R6002ENH

ROHM
Part Number R6002ENH
Manufacturer ROHM
Description Power MOSFET
Published Apr 29, 2020
Detailed Description R6002ENH 　　Nch 600V 2A Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 600V 3.4Ω ±1.7A 2W lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fas...
Datasheet PDF File R6002ENH PDF File

R6002ENH
R6002ENH

Overview
R6002ENH 　　Nch 600V 2A Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.
) ID PD 600V 3.
4Ω ±1.
7A 2W lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lOutline SOP8 　 　 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lApplication Switching lPackaging specifications Packing Embossed Tape Packing code TB1 Marking R6002ENH Basic ordering unit (pcs) 2500 lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current VDSS ID*1 IDP*2 600 V ±1.
7 A ±4 A Gate - Source voltage static AC(f>1Hz) VGSS ±20 V ±30 V Avalanche current, single pulse IAS*3 0.
3 A Avalanche energy, single pulse EAS*3 6 mJ Power dissipation PD 2 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.
rohm.
com © 2018 ROHM Co.
, Ltd.
All rights reserved.
1/11 20181126 - Rev.
001 　 　 R6002ENH 　 　 　 　　 　 　　　　　　　　 Datasheet lThermal resistance 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Parameter Symbol Values Unit Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - ambient RthJA*4 Soldering temperature, wavesoldering for 10s Tsold 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 - - 62.
5 ℃/W - - 265 ℃ 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Values Unit Min.
Typ.
Max.
Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 600 - - V Zero gate voltage drain current VDS = 600V, VGS = 0V IDSS Tj = 25°C Tj = 125°C Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V Gate threshold voltage VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA Static drain - source on - state resistance VGS = 10V, ID = 0.
5A RDS(on)*5 Tj = 25°C Tj = 125°C Gate resistance RG f = 1MHz, open drain 　 2 　 - 　　 - 100 μA - 1000 - ±100 nA - 4V 　　 2.
8 3.
4 Ω 615 - Ω 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)