DatasheetsPDF.com

MJE200

Part Number	MJE200
Manufacturer	Motorola
Description	5 AMPERE POWER TRANSISTORS
Published	May 7, 2005
Detailed Description	MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE200/D Complementary Silicon Power Plastic Transistors...
Datasheet	MJE200 PDF File

Overview

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE200/D Complementary Silicon Power Plastic Transistors .
.
.
designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc High DC Current Gain — hFE = 45 (Min) @ IC = 2.
0 Adc High DC Current Gain — hFE = 10 (Min) @ IC = 5.
0 Adc • Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.
3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc VCE(sat) = 0.
75 Vdc (Max) @ IC = 2.
0 Adc • High Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc • Annular Construction for Low Leakage — ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB MAXIMUM RATINGS MJE200* PNP MJE210* *Motorola Preferred Device NPN ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCB VCEO VEB IC IB PD PD Value 40 25 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector–Emitter Voltage 8.
0 5.
0 10 1.
0 Collector Current — Continuous Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 15 0.
12 Watts W/_C Watts W/_C 1.
5 0.
012 TJ, Tstg – 65 to + 150 5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON...

Similar Datasheet

MJE200 5 AMPERE POWER TRANSISTORS - Motorola
MJE200 NPN Epitaxial Silicon Transistor - Fairchild
MJE200 Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor
MJE200 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Central Semiconductor
MJE200 Silicon NPN transistor - BLUE ROCKET ELECTRONICS
MJE200 Complementary Silicon Power Plastic Transistors - ON Semiconductor
MJE200G Complementary Silicon Power Plastic Transistors - ON Semiconductor
MJE205 5 Ampere Power Transistor - ETC
MJE205K 5 Ampere Power Transistor - ETC
MJE210 SILICON PNP TRANSISTOR - ST Microelectronics

@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)