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phmb800e6

Nihon Inter Electronics
Part Number phmb800e6
Manufacturer Nihon Inter Electronics
Description IGBT
Published Feb 26, 2016
Detailed Description ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ８００Ａ，６００Ｖ QS043-402-20395（2/5） ＰＨＭＢ８００Ｅ６ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (E) 4 (G) 3 (E) 2 □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷ...
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phmb800e6
phmb800e6

Overview
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ８００Ａ，６００Ｖ QS043-402-20395（2/5） ＰＨＭＢ８００Ｅ６ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (E) 4 (G) 3 (E) 2 □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0.
25 4 4 - Ø6.
5 2 -M8 (C) 1 2 1 20 20 62 ±0.
25 80 3 2 -M4 13 21 29 +1.
036 - 0.
5 +125.
5 .
0 - 0.
5 7 23 LABEL Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ コレク Ｃollector コレク Ｃollector タ Ｃurrent タ Ｐower Ｄissipation ＤＣ １ｍｓ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ８００ １,６００ ２,７００ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage めけトルク Ｍounting Ｔorque Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｂusbar to Ｔerminals ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ８ ２,５００ ３（３０.
６） １.
４（１４.
３） １０.
５（ １ ０ ７ ） Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 800V,ＶＧＥ= 0V ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V Ｍｉｎ.
－ Ｔｙｐ.
－ Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ １.
０ ｍＡ － － １.
０ μＡ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － ２.
１ ２.
６ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４.
０ － ８.
０ Ｖ Ｉnput Ｃapacitance スイッチング Ｓwitching Ｔime ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔime Ｔurn-on Ｔime Ｆall Ｔime Ｔurn-off Ｔime Ｃｉｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 0.
375Ω ＲＧ= 1.
5Ω ＶＧＥ= ±15V － 40,000 － ｐＦ － ０.
１５ ０.
３５ － － ０.
３０ ０.
８５ ０.
１０ ０.
２５ μｓ － ０.
４０ ０.
８０ □フリーホイーリングダイオードの ： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｆorward Ｃurrent Ｉｔｅｍ ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ８００ １,６００ Ｕｎｉｔ Ａ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＦ ｔｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs □ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｒth(j-c) Junction to Case （Tcチップ） インター Ｍｉｎ.
－ Ｔｙｐ.
１.
９ Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ ２.
４ Ｖ...


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