TDM3412 MOSFET Datasheet

TDM3412 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

TDM3412

Description

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Manufacture

Techcode

Total Page 13 Pages
Datasheet
Download TDM3412 Datasheet


TDM3412
T  echcode®
 
 
 
Dual
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3412  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
Channel 1 
RDS(ON) < 17.5mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 10.8mΩ @ VGS=10V 
Channel 2 
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
ESD protection 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Is(TC=25) 
Continuous Drain Current(note1) 
ID(TC=25) 
Pulse Drain Current Tested(note4) 
IDP(TC=25) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TC=25) 
Continuous Drain Current 
ID (TA=25) 
ID (TA=70) 
Pulse Drain Current Tested 
IDP(TA=25) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TA=25) 
Thermal ResistanceJunction to Ambient(note 5) 
RθJA(t10s) 
RθJA(Steady State) 
Thermal ResistanceJunction to Case 
RθJC(Steady State) 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
TSTG 
DATASHEET
TDM3412
 
 
Channel 1 
30 
+20 
5 
18 
45   
20 
8.4 
6.7 
33.5 
1.14 
66 
110 
6 
150 
55 To 150 
Channel 2 
30 
+20 
5 
18   
45   
20 
9.1 
7.3 
36 
1.13 
60 
100 
6 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
A 
A 
W 
/W 
/W 
 
 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 

TDM3412
T  echcode®
 
 
 
Dual
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3412
Parameter 
Symbol  Condition 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS 
VGS=0V ID=250μA 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=10V, ID=10A 
VGS=4.5V, ID=8A 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG  VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
td(on) 
tr 
VDS=15V, RL=15 Ω, VGEN=10V, 
RG=6 Ω ID=1A 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=10A,VGS=10V 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=10A, dI/dt=100A/μs 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=5A 
NOTES: 
1. Max continuous current is limited by bonding wire. 
2.    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3.    Guaranteed by design, not subject to production testing. 
4.    Pulse width is limited by max. junction temperature. 
5.    RθJA steady state t=999s 
 
 
 
 
 
 
Channel1 
Min  Typ  Max 
Unit 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
1.4  1.8  2.5  V 
‐  9  10.8  mΩ 
‐  13.5  17.5  mΩ 
‐  1.35  2.5  Ω 
‐  450  600  PF 
‐  318  ‐ 
PF 
‐  22  ‐ 
PF 
‐  8.5  16  nS 
‐  10  18  nS 
‐  14  26  nS 
‐  10.6  19  nS 
‐  8  12  nC
‐  1.6  ‐ 
nC 
‐  1.2  ‐ 
nC 
‐  20.5  ‐ 
nS 
‐  7.2  ‐ 
nC 
‐  0.8  1.1  V 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 


Features T  echcode®       Dual N-Channe l Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTI ON  The  TDM3412  uses  advanced  trench  technology  to  provide  ex cellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable   for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GEN ERAL FEATURES   Channel 1  RDS(O N) < 17.5mΩ @ VGS=4.5V     R DS(ON) < 10.8mΩ @ VGS=10V   C hannel 2  RDS(ON) < 16mΩ @ VGS= 4.5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10 V   High Power and current hand ling capability   ESD protection  Lead free product is availabl e   Surface Mount Package  Appli cation   PWM applications   Lo ad switch   Power management  A BSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unles s otherwise noted)  Parameter  Sy mbol  Drain‐Source Voltage  VDS Gate‐Source Voltage  VGS  Dio de Continuous Forward Current  Is( TC=25℃)  Continuous Drain Current(note1)  ID(TC=25℃).
Keywords TDM3412, datasheet, pdf, Techcode, Dual, N-Channel, Enhancement, Mode, MOSFET, DM3412, M3412, 3412, TDM341, TDM34, TDM3, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)