Mode MOSFET. TDM3412 Datasheet

TDM3412 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3412 Datasheet
Recommendation TDM3412 Datasheet
Part TDM3412
Description Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3412; T  echcode®       Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3412  uses  ad.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3412 Datasheet




Techcode TDM3412
T  echcode®
 
 
 
Dual
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3412  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
Channel 1 
RDS(ON) < 17.5mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 10.8mΩ @ VGS=10V 
Channel 2 
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
ESD protection 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Is(TC=25) 
Continuous Drain Current(note1) 
ID(TC=25) 
Pulse Drain Current Tested(note4) 
IDP(TC=25) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TC=25) 
Continuous Drain Current 
ID (TA=25) 
ID (TA=70) 
Pulse Drain Current Tested 
IDP(TA=25) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TA=25) 
Thermal ResistanceJunction to Ambient(note 5) 
RθJA(t10s) 
RθJA(Steady State) 
Thermal ResistanceJunction to Case 
RθJC(Steady State) 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
TSTG 
DATASHEET
TDM3412
 
 
Channel 1 
30 
+20 
5 
18 
45   
20 
8.4 
6.7 
33.5 
1.14 
66 
110 
6 
150 
55 To 150 
Channel 2 
30 
+20 
5 
18   
45   
20 
9.1 
7.3 
36 
1.13 
60 
100 
6 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
A 
A 
W 
/W 
/W 
 
 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3412
T  echcode®
 
 
 
Dual
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3412
Parameter 
Symbol  Condition 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS 
VGS=0V ID=250μA 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=10V, ID=10A 
VGS=4.5V, ID=8A 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG  VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
td(on) 
tr 
VDS=15V, RL=15 Ω, VGEN=10V, 
RG=6 Ω ID=1A 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=10A,VGS=10V 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=10A, dI/dt=100A/μs 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=5A 
NOTES: 
1. Max continuous current is limited by bonding wire. 
2.    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3.    Guaranteed by design, not subject to production testing. 
4.    Pulse width is limited by max. junction temperature. 
5.    RθJA steady state t=999s 
 
 
 
 
 
 
Channel1 
Min  Typ  Max 
Unit 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
1.4  1.8  2.5  V 
‐  9  10.8  mΩ 
‐  13.5  17.5  mΩ 
‐  1.35  2.5  Ω 
‐  450  600  PF 
‐  318  ‐ 
PF 
‐  22  ‐ 
PF 
‐  8.5  16  nS 
‐  10  18  nS 
‐  14  26  nS 
‐  10.6  19  nS 
‐  8  12  nC
‐  1.6  ‐ 
nC 
‐  1.2  ‐ 
nC 
‐  20.5  ‐ 
nS 
‐  7.2  ‐ 
nC 
‐  0.8  1.1  V 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3412
T  echcode®
 
 
 
Dual
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Cont.(TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3412
Parameter 
Symbol  Condition 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
DrainSource OnState Resistance 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS(th) 
RDS(ON) 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG 
Input Capacitance 
Ciss 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
Turnon Rise Time 
tr 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
VGS=0V ID=250μA 
VDS=24V,VGS=0V 
VGS=±20V,VDS=0V 
VDS=VGS,ID=250μA 
VGS=10V, ID=10A 
VGS=4.5V, ID=8A 
VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 
VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
VDS=15V, RL=15 Ω, VGEN=10V, 
RG=6 Ω ID=1A 
VDS=15V,ID=10A,VGS=10V 
IDS=10A, dI/dt=100A/μs 
VGS=0V,IS=5A 
Channel2 
Min  Typ  Max 
Unit 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
1.4  1.8  2.5 
‐  8.2  10 
‐  12.3  16 
V 
mΩ 
mΩ 
‐  1.35  2.5  Ω 
‐  450  600  PF 
‐  318  ‐ 
PF 
‐  22  ‐ 
PF 
‐  8.5  16  nS 
‐  10  18  nS 
‐  14  26  nS 
‐  10.6  19  nS 
‐  8  12  nC
‐  1.6  ‐ 
nC 
‐  1.2  ‐ 
nC 
‐  20.5  ‐ 
nS 
‐  7.2  ‐ 
nC 
‐  0.8  1.1  V 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)