Mode MOSFET. TDM3430 Datasheet

TDM3430 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3430 Datasheet
Recommendation TDM3430 Datasheet
Part TDM3430
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3430; .
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3430 Datasheet




Techcode TDM3430
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3430  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
 
RDS(ON) < 2.3mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 1.7mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
Jump Starter 
 
DATASHEET
TDM3430
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Drain Current @ Continuous 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
IDMTC=25℃) 
Drain Current @ Continuous 
IDTC=25℃) 
IDTC=100℃) 
Maximum Power Dissipation (TA=25) 
PD 
Maximum Power Dissipation (TC=25) 
PD 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
TSTG 
THERMAL CHARACTERISTICS 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 1) 
RθJA 
 
Limit 
40 
+20 
40 
30 
400 
180 
160 
2.7 
300 
150 
55 To 150 
50 
 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
 
 
/W 
May  18,  2016                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3430
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
 
DATASHEET
TDM3430
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol  Condition 
Min 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
40 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=32V,VGS=0V 
 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
1.4 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=4.5V, ID=20A 
 
VGS=10V, ID=25A 
 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=20V,VGS=0V, F=1.0MHz 
 
Output Capacitance 
Coss 
 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=20V,  RL=20Ω,  VGEN=10V,RG=6Ω   
Turnon Rise Time 
tr  ID=1A 
 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
 
TurnOff Fall Time 
tf 
 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=20V,ID=25A,VGS=4.5V 
 
GateSource Charge 
Qgs 
 
GateDrain Charge 
Qgd 
 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=5A, dI/dt=100A/μs 
 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=20A 
 
NOTES: 
1. Pulse width limited by max. junction temperature. 
2. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
  
Typ  Max  Unit 
  
V 
  1  μA 
  ±100  nA 
1.7  2.5 
2  2.3 
1.6  1.7 
V 
mΩ 
mΩ 
5200 
1500 
172 
 
 
 
PF 
PF 
PF 
17 
11.5 
36 
31 
30 
14 
10.2 
38 
68 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
0.8  1.1  V 
May  18,  2016                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3430
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Package Information 
TO263-3 Package
DATASHEET
TDM3430
May  18,  2016                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)