DatasheetsPDF.com

EMB09N03A

Excelliance MOS
Part Number EMB09N03A
Manufacturer Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Mar 22, 2016
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB09N03A PDF File

EMB09N03A
EMB09N03A

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  9mΩ  ID  50A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB09N03A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=37.
5A, RG=25Ω L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  50  35  140  37.
5  70  15  60  32  ‐55 to 175  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)