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NTE2903

Part Number	NTE2903
Manufacturer	NTE
Description	N-Channel MOSFET
Published	Jan 23, 2020
Detailed Description	NTE2903 MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Full Pack Type Package D Features: D Low Drain−Source O...
Datasheet	NTE2903 PDF File

Overview

NTE2903 MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Full Pack Type Package D Features: D Low Drain−Source ON Resistance: RDS(ON) = 1.
35 Typ D High Forward Transfer Admittance: |yfs| = 3.
5S Typ D Low Leakage Current: IDSS = 100A (VDS = 500V) D Enhancement Mode: Vth = 2.
0 to 4.
0V (VDS = 10V, ID = 1mA) G S Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified) Drain−Source Voltage, VDSS .
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500V Drain−Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR .
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500V Gate−Source Voltage, VGSS .
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30V Drain Current (Note Continuous .
2), .
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I.
D.
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5A Pulsed (t = 1ms) .
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20A Drain Power Dissipation (TC = +25C), PD .
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35W Single Pulse Avalanche Energy (Note 3), EAS .
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180mJ Avalanche Current, IAR .
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5A Repetitive Avalanche Energy (Note 4), EAR .
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3.
5mJ Channel Temperature, TCH .
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+150C Storage Temperature Range, Tstg .
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