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IRF730

Part Number	IRF730
Manufacturer	NTE
Description	N-Channel MOSFET
Published	Dec 15, 2022
Detailed Description	IRF730 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Type Package D Features: D Repetitive Avalanche...
Datasheet	IRF730 PDF File

Overview

IRF730 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Type Package D Features: D Repetitive Avalanche Rated D Dynamic dv/dt Rating D Fast Switching D Simple Drive Requirements D Ease of Paralleling G S Absolute Maximum Ratings: (TC = +25C unless otherwise specified) Drain−Source Voltage, VDS .
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400V Gate−Source Voltage, VGS .
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20V Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25C .
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5.
5A TC = +100C .
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3.
5A Pulsed Drain Current (Note 1), IDM .
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22A Maximum Power Dissipation (TC = +25C), PD .
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74W Linear Derating Factor .
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0.
59W/C Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS .
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290mJ Avalanche Current (Note 1), IAR .
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5.
5A Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR .
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7.
4mJ Peak Diode Recovery (Note 3), dV/dt .
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4.
0V/ns Operating Junction Temperature Range, TJ .
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−55 to +150C Storage Temperature Range...

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