DatasheetsPDF.com

MJE3055

ON
Part Number MJE3055
Manufacturer ON
Description COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Published May 7, 2005
Detailed Description MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE2955T/D Complementary Silicon Plastic Power Transisto...
Datasheet PDF File MJE3055 PDF File

MJE3055
MJE3055


Overview
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE2955T/D Complementary Silicon Plastic Power Transistors MJE2955T * NPN MJE3055T * *Motorola Preferred Device PNP ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ • DC Current Gain Specified to 10 Amperes • High Current Gain — Bandwidth Product — fT = 2.
0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 60 70 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current Base Current 5.
0 10 6.
0 75 Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C MJE3055T, MJE2955T Operating and Storage Junction Temperature Range PD† Watts W/_C 0.
6 TJ, Tstg – 55 to + 150 .
.
.
designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol θJC Max Unit CASE 221A–06 TO–220AB Thermal Resistance, Junction to Case 1.
67 _C/W †Safe Area Curves are indicated by Figure 1.
Both limits are applicable and must be observed.
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 10 7.
0 5.
0 dc 3.
0 2.
0 1.
0 0.
7 0.
5 0.
3 0.
2 0.
1 5.
0 5.
0 ms 1.
0 ms 100 µs TJ = 150°C SECOND BREAKDOWN LIMITED BONDING WIRE LIMITED THERMALLY LIMITED TC = 25°C (D = 0.
1) 20 30 7.
0 10 VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 50 60 There are two lim...



Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)