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SFH302

Siemens Semiconductor Group
Part Number SFH302
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Published May 20, 2005
Detailed Description SFH 302 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 302 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimen...
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SFH302
SFH302

Overview
SFH 302 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 302 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, mit Basisanschluß q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm q High linearity q TO-18, base plate, transparent exposy resin lens, with base connection q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type SFH 302 SFH 302-2 SFH 302-3 SFH 302-4 SFH 302-5 SFH 302-6 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1641 Q62702-P1623 Q62702-P1624 Q62702-P1625 Q62702-P1626 Q62702-P1627 Semiconductor Group 252 10.
95 fet06017 SFH 302 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 .
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+ 80 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS VEB Ptot RthJA 50 50 200 7 150 450 V mA mA V mW K/W Semiconductor Group 253 SFH 302 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max.
Fotoempfindlichkeit Wavelength...


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