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SFH310

Siemens Semiconductor Group
Part Number SFH310
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor
Published May 20, 2005
Detailed Description SFH 310 SFH 310 FA Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA Area not flat...
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SFH310
SFH310

Overview
SFH 310 SFH 310 FA Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA Area not flat 0.
6 0.
4 0.
7 0.
4 0.
8 0.
4 4.
8 4.
4 2.
7 2.
1 3.
4 3.
1 2.
54 mm spacing 1.
1 0.
9 1.
8 1.
2 29.
0 27.
0 3.
7 3.
5 6.
1 5.
7 0.
6 0.
4 Collector/ Cathode Chip position GEX06710 ø2.
9 ø2.
7 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of 880 nm (SFH 310 FA) q High linearity q 3 mm plastic package Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 03.
96 1998-07-13 feof6653 feo06653 SFH 310 SFH 310 FA Typ Type SFH 310 SFH 310-2 SFH 310-3 SFH 310 FA SFH 310 FA-2 SFH 310 FA-3 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P874 on request on request Q62702-P1673 on request on request Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 .
.
.
+ 100 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS Ptot RthJA 70 50 100 165 450 V mA mA mW K/W Semiconductor Gro...


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