DatasheetsPDF.com

MJD3055

Motorola
Part Number MJD3055
Manufacturer Motorola
Description SILICON POWER TRANSISTORS
Published May 7, 2005
Detailed Description MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD2955/D Complementary Power Transistors • • • • • • M...
Datasheet PDF File MJD3055 PDF File

MJD3055
MJD3055

Overview
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD2955/D Complementary Power Transistors • • • • • • MJD2955 PNP MJD3055 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS NPN DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055 DC Current Gain Specified to 10 Amperes High Current Gain–Bandwidth Product — fT = 2.
0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 60 70 5 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current Base Current 10 6 Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD† PD 20 0.
16 Watts W/_C Watts W/_C Total Power Dissipation (1) @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.
75 0.
014 TJ, Tstg – 55 to + 150 CASE 369A–13 CASE 369–07 _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC RθJA Max Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient (1) 71.
4 _C/W (1) These ratings...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)